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• 廣大的收集角度和景深立體角：此優(yōu)點體現(xiàn)在上面的圖片。圖片可以清楚觀察到，由主離子束探測到的信號是從樣品所有部位收集來的。即使在彎曲的表面，如頭發(fā)，信號以統(tǒng)一強度來采集同時保持能力解決這樣的小特征，如個別毛干上的角質(zhì)層。
• 單束C60深度剖析：PHI C60離子的小光束直徑探針是獨特的，有利于特定的化學分子離子的微米級特征成像。此外，結(jié)合擴展的配置范圍和經(jīng)單束C60深度剖析改進的二次離子產(chǎn)量深讓分析師有獨特的有機深度剖析能力與最高靈敏度的二次離子結(jié)構(gòu)。
• 低背景和亞穩(wěn)抑制：下面數(shù)據(jù)說明了TRIFT質(zhì)譜儀在亞穩(wěn)態(tài)拒絕 (Metastable Rejection) 的固有能力。一個比較Reflectron和TRIFT為基礎的分析儀所取得的聚（四氟乙烯）和（聚四氟乙烯）的質(zhì)譜顯示了在沒有減少二次離子信號下TRIFT分析儀優(yōu)秀的抗亞穩(wěn)態(tài)干擾能力。事實上，也增強了化學成像的能力，因為二次離子信號沒有迭加在非化學的背景信號上。
• 加熱和冷卻的完整5軸樣品運行：完整的X，Y，Z軸旋轉(zhuǎn)和傾斜運動可同時把樣品加熱到（RT至+600oC）或冷卻（-130至+150oC）。加熱或冷卻工序在樣品引入，轉(zhuǎn)換，取樣時的溫度監(jiān)測和控制在沒有任何中斷的情況下完成。樣品臺提供X和Y軸+/-50毫米運行范圍和1μm的分辨率和20毫米的Z軸行程和2微米的分辨率，同時保持優(yōu)于±2℃樣品溫度的控制。
• 雙束電荷中和的絕緣體分析：采用專利技術(shù)的nanoTOF的電荷中和采用了雙束的方法，非常低能量的離子束和電子束。由飛行時間二次離子質(zhì)譜儀器從一件表面安裝了碳磁帶的批量聚合物所獲得的數(shù)據(jù)。即使樣品是厚，奇形的絕緣體，使用雙光束電荷中和也可以得到高分辨率數(shù)據(jù)。
• 脈沖二次電子成像：nanoTOF的TRIFT分析儀的設計，是唯一能夠從絕緣和導電標本收集脈沖 SE圖像的儀器。通過脈沖模式（質(zhì)譜操作）偏轉(zhuǎn)主離子生成的二次電子(相對較重的二次離子有較高的速度比) 到位于分析儀SED里面，同時通過雙重多通道板（DMCP）探測器。
• FIB - TOF三維材料特性：TRIFT分析儀的內(nèi)在特性可以通過成像FIB銑削坑的垂直型墻而不必傾斜樣品。因此，材料的全3D特性化在連續(xù)FIB銑削和TOF-SIMS采集周期是可能的，而其三維圖像重建也可以非常簡單，因為樣本在FIB銑削和TOF-SIMS數(shù)據(jù)采集期間是不需要移動的。
• 原始文件的回溯性數(shù)據(jù)分析：用戶可以選擇四種不同的模式來進行數(shù)據(jù)解釋：（1）總離子圖，（2）總面積譜，（3）區(qū)域性質(zhì)譜，（4）特定離子分布。

• 油漆和OLED材料： 油漆層和缺陷層內(nèi)的特征化，高質(zhì)量碎片特點化。
• 薄膜和涂料： 分析有機涂層，有機和無機涂料的成像分布。
• 無機及半導體設備： 晶圓工藝殘渣物，缺陷分析，蝕刻/清潔殘留分析，微量金屬污染物留在晶圓工藝；三維成像表征摻雜元素。
• 磁存儲： 殘留物留在媒體的地表，來自于工藝的污染，包括有機和無機物，故障分析，潤滑分析。
• 擁有控制藥物釋放涂料的藥物： 藥物截面成像，新的藥物釋放涂層的表征與發(fā)展。
• 組織橫截面分析：研究組織和細胞。

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• PHI TRIFT V nanoTOF II 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀中文樣本