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Vion Plasma 聚焦離子束系統(tǒng)

FEI Vion? Plasma 聚焦離子束系統(tǒng) (PFIB) 能使您的實(shí)驗(yàn)室實(shí)力大增,因?yàn)橹恍柽@一臺(tái)使用簡(jiǎn)便的設(shè)備便可獲得一流的光刻和成像性能。采用等離子源技術(shù)的 Vion PFIB 擁有比傳統(tǒng)鎵 FIB 儀器更高的吞吐量,具體來說,位置特異性切片分析、大面積光刻和樣本制備的速度提高了 20 倍以上。Vion PFIB 在低離子束電流下也能實(shí)現(xiàn)極好的光刻精確度和高分辨率成像,能夠快速、準(zhǔn)確地生成高對(duì)比度圖像,這對(duì)眾多工藝控制、失效分析或材料研究應(yīng)用至關(guān)重要。

Vion PFIB 的材料科學(xué)應(yīng)用
Vion PFIB 特別適合用于金屬、復(fù)合物和涂層,并支持眾多材料表征、失效分析和樣本制備應(yīng)用。

  • 快速制作位置特異性切片,同時(shí)直接對(duì)樣本成像以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控目的
  • 提高銑削速度,無需為大面積及重復(fù)性銑削項(xiàng)目以及鋼等低濺射速率材料而犧牲質(zhì)量
  • 開展動(dòng)態(tài)壓縮或拉伸測(cè)試時(shí),迅速對(duì)結(jié)構(gòu)和表面執(zhí)行位置特異性顯微加工。
  • 開展電子背散射衍射分析時(shí),制備高質(zhì)量的位置特異性表面;制備適用于 SEM 和 TEM 等其他成像和表征技術(shù)的標(biāo)本
  • 獲得亞 30 nm 圖像分辨率,以便快速識(shí)別與測(cè)量薄層及結(jié)構(gòu)

Vion PFIB 的電子工業(yè)應(yīng)用
高吞吐量三維封裝分析
Vion 等離子 FIB 是一款能夠進(jìn)行高精度高速切削和銑削的儀器。它能夠有選擇地對(duì)興趣區(qū)域進(jìn)行銑削。此外,這款 PFIB 還能有選擇地沉積構(gòu)成圖案的導(dǎo)體和絕緣體。
通過將高速光刻與精準(zhǔn)控制相結(jié)合,系統(tǒng)可以多種方式用于 IC 生產(chǎn),例如:

  • 隆起物、絲焊、TSV 和晶片堆疊失效分析
  • 精確移除封裝和材料,以便開展失效分析以及隔離掩埋的芯片上的故障
  • 在封裝級(jí)別開展工藝監(jiān)控和開發(fā)
  • 對(duì)封裝的零件和 MEMS 器件開展缺陷分析

掃描電鏡廣泛地應(yīng)用于金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機(jī)械加工)和非金屬材料(化學(xué)、化工、石油、地質(zhì)礦物學(xué)、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等檢驗(yàn)和研究。在材料科學(xué)研究、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域進(jìn)行材料的微觀形貌、組織、成分分析,各種材料的形貌組織觀察,材料斷口分析和失效分析,材料實(shí)時(shí)微區(qū)成分分析,元素定量、定性成分分析,快速的多元素面掃描和線掃描分布測(cè)量,晶體、晶粒的相鑒定,晶粒尺寸、形狀分析,晶體、晶粒取向測(cè)量。

儀器性能和維護(hù)對(duì)于實(shí)驗(yàn)室的運(yùn)行來說至關(guān)重要,禹重為您提供培訓(xùn)、儀器服務(wù)計(jì)劃或按需維修服務(wù),幫助您獲得準(zhǔn)確可靠的結(jié)果以及最長(zhǎng)的儀器正常運(yùn)行時(shí)間。我們很清楚保持儀器的最優(yōu)性能對(duì)提高您的生產(chǎn)力極為重要,因此,我們定能在您需要時(shí)為您排憂解難。

通過與禹重的合作,您不僅可以獲得最好的分析儀器,而且還將擁有未來最佳的合作伙伴

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